آشکارساز نوری با بهره قابل تنظیم ROF Si، آشکارساز نوری سیلیکونی
ویژگی
محدوده طیفی: 320nm ~ 1100nm
پهنای باند 3dB: تا 11 مگاهرتز
حداکثر تنظیم بهره: 4.75×106 ولت/آمپر (بار امپدانس بالا)
ل سر و صدای کم
ورودی اتصال نوری فضایی، اتصال فیبر اختیاری است
کاربرد
تشخیص نور ضعیف
سیستم حسگر فیبر نوری
ارتباط نوری فضایی
اطلاعات سفارش
| مدل پارامتر | سقف-PR-11M-B | سقف-PR-13M-A |
| فرکانس پاسخ | دیسی-۱۱ مگاهرتز | دیسی-۱۳ مگاهرتز |
| نوع | سیلیکون (Si) | ایندیوم گالیوم آرسنید (InGaAs) |
| حساسیت به نور ۱ | ۳۲۰ نانومتر تا ۱۱۰۰ نانومتر | 900 نانومتر ~ 1700 نانومتر |
| ناحیه حساس به نور | Ø9.8 میلیمتر (75.4 میلیمتر)2 ) | Ø1.0 میلیمتر (0.8 میلیمتر)2 ) |
نکته ۱: مقدار تقریبی؛ مقدار واقعی طول موج ممکن است متفاوت باشد
پارامترها
| مشخصات عملکرد 2 (KG-PR-11M-B) | |||
| 0 دسیبل تنظیم | 40 دسیبل تنظیم | ||
| بهره (مقاومت بالا>5kΩ) | ۱.۵۰ × ۱۰3ولتاژ/جریان ±۲٪ | بهره (مقاومت بالا>5kΩ) | ۱.۵۰ × ۱۰5ولتاژ/جریان ±۲٪ |
| بهره (50 اهم) | ۰.۷۵ × ۱۰3ولتاژ/جریان ±۲٪ | بهره (50 اهم) | ۰.۷۵ × ۱۰5ولتاژ/جریان ±۲٪ |
| پهنای باند ۳ دسیبل ۳ | ۱۱ مگاهرتز | پهنای باند ۳ دسیبل | ۱۵۰ هزار |
| نویز (RMS) | ۴۰۰ میکروولت | نویز (RMS) | ۵۰۰ میکروولت |
| تعصب | ±۸ میلیولت (معمولی) ±20 میلی ولت (حداکثر) | تعصب | ±۸ میلیولت (معمولی) ±20 میلی ولت (حداکثر) |
| 10 دسیبل تنظیم | ۵۰ دسیبل تنظیم | ||
| بهره (مقاومت بالا>5kΩ) | ۴.۷۵ × ۱۰3ولتاژ/جریان ±۲٪ | بهره (مقاومت بالا>5kΩ) | ۴.۷۵ × ۱۰5ولتاژ/جریان ±۲٪ |
| بهره (50 اهم) | ۲.۳۸ × ۱۰3ولتاژ/جریان ±۲٪ | بهره (50 اهم) | ۲.۳۸ × ۱۰5ولتاژ/جریان ±۲٪ |
| پهنای باند ۳ دسیبل | ۱.۴ مگاهرتز | پهنای باند ۳ دسیبل | ۵۰ هزار |
| نویز (RMS) | ۳۵۰ میکروولت | نویز (RMS) | ۵۲۰ فرابنفش |
| تعصب | ±۸ میلیولت (معمولی) ±20 میلی ولت (حداکثر) | تعصب | ±۸ میلیولت (معمولی) ±20 میلی ولت (حداکثر) |
| 20 دسیبل تنظیم | 60 دسیبل تنظیم | ||
| بهره (مقاومت بالا>5kΩ) | ۱.۵۰ × ۱۰4ولتاژ/جریان ±۲٪ | بهره (مقاومت بالا>5kΩ) | ۱.۵۰ × ۱۰6ولتاژ/جریان ±۲٪ |
| بهره (50 اهم) | ۰.۷۵ × ۱۰4ولتاژ/جریان ±۲٪ | بهره (50 اهم) | ۰.۷۵ × ۱۰6ولتاژ/جریان ±۲٪ |
| پهنای باند ۳ دسیبل | ۱.۰ مگاهرتز | پهنای باند ۳ دسیبل | 20 هزار |
| نویز (RMS) | ۳۸۰ میکروولت | نویز (RMS) | ۷۶۰ فرابنفش |
| تعصب | ±۸ میلیولت (معمولی) ±20 میلی ولت (حداکثر) | تعصب | ±۸ میلیولت (معمولی) ±20 میلی ولت (حداکثر) |
| 30 دسیبل تنظیم | 70 دسیبل تنظیم | ||
| بهره (مقاومت بالا>5kΩ) | ۴.۷۵ × ۱۰4ولتاژ/جریان ±۲٪ | بهره (مقاومت بالا>5kΩ) | ۴.۷۵ × ۱۰6ولتاژ/جریان ±۲٪ |
| بهره (50 اهم) | ۲.۳۸ × ۱۰4ولتاژ/جریان ±۲٪ | بهره (50 اهم) | ۲.۳۸ × ۱۰6ولتاژ/جریان ±۲٪ |
| پهنای باند ۳ دسیبل | ۴۰۰ هزار | پهنای باند ۳ دسیبل | 10 هزار |
| نویز (RMS) | ۳۸۰ میکروولت | نویز (RMS) | ۱.۴۳ میلیولت |
| تعصب | ±۸ میلیولت (معمولی) ±20 میلی ولت (حداکثر) | تعصب | ±۸ میلیولت (معمولی) ±20 میلی ولت (حداکثر) |
نکته ۲:سقف-PR-11M-B دارای یک مقاومت انتهایی سری ۵۰ اهمی است (یعنی به صورت سری با خروجی تقویتکننده متصل شده است). این یک تقسیمکننده ولتاژ با هر امپدانس باری تشکیل میدهد (مانند یک بار ۵۰ اهمی که سیگنال را به دو نیم تقسیم میکند).
نکته ۳: آزمایش را در طول موج ۸۵۰ نانومتر انجام دهید. برای طول موجهای نزدیک به مادون قرمز، زمان خیزش اجزای فوتودیود کندتر میشود که ممکن است پهنای باند مؤثر آشکارساز تقویت را محدود کند.
پارامترهای عمومی
| پروژه | سیم | ارزش |
| نوع آشکارساز | - | Si |
| سطح حساس به نور | - | Ø9.8 میلیمتر (75.4 میلیمتر)2 ) |
| طول موج اوج | λp | ۹۶۰ نانومتر (معمولی) |
| اوج پاسخ | Â( λ p) | 0.72 آمپر بر وات (معمولی) |
| امپدانس خروجی | - | 50 اهم |
| حداکثر دامنه جریان خروجی | آیمکس | ۱۰۰ میلیآمپر |
| حداکثر دامنه ولتاژ خروجی | وی مکس | ۱۰.۰۰ ولت @ امپدانس بالا ۵.۰۰ ولت @ ۵۰ اهم بار |
| محدوده بار | - | >50 اهم |
| محدوده تنظیم بهره | - | 0dB ~ 70dB |
| گام به گام | - | ۱۰ دسیبل |
| سوئیچ برق | - | سمت |
| سوئیچ گین | - | دنده هشتم |
| خروجی | - | SMA (کوپلینگ DC) |
| ابعاد محصول | - | 66.6 میلیمتر * 52.2 میلیمتر * 22.4 میلیمتر |
| عمق سطح PD 4 | - | ۶.۱ میلیمتر |
| وزن (بدون احتساب لوازم جانبی) | - | ۷۰ گرم |
| لوازم جانبی | - | کوپلینگ SM1T1، حلقه نگهدارنده SM1RR |
| منبع تغذیه | - | آداپتور AC-DC ± 12V |
| وات منبع تغذیه | - | ۶ وات ۱۰۰ ولت/۱۲۰ ولت/۲۳۰ ولت، ۵۰-۶۰ هرتز |
نکته ۴: ارتفاع تقریبی از سطح سازه محفظه تا سطح فوتودیود ممکن است در عمل منجر به خطاهای نصب شود.
شرط محدود کننده
| پارامتر | سیم | واحد | حداقل | معمولی | مکس |
| توان نوری ورودی | پین | mW | - | - | 25 |
| ولتاژ کاری | وپ | V | ±۱۰.۸ | ±۱۲ | ۱۳.۲ ± |
| دمای عملیاتی | بالا | درجه سانتیگراد | -10 | - | 60 |
| دمای نگهداری | تست | درجه سانتیگراد | -40 | - | 85 |
| رطوبت | RH | % | 5 | - | 90 |
منحنی
منحنی مشخصه
سقفنمودار پاسخ حساسیت -PR-11M-B
اندازه بسته بندی (میلی متر)
درباره ما
شرکت Rofea Optoelectronics طیف گستردهای از محصولات الکترواپتیکی از جمله مدولاتورها، آشکارسازهای نوری، منابع لیزر، لیزرهای dfb، تقویتکنندههای نوری، EDFAها، لیزرهای SLD، مدولاسیون QPSK، لیزرهای پالسی، آشکارسازهای نوری، آشکارسازهای نوری متعادل، لیزرهای نیمههادی، درایورهای لیزر، کوپلر فیبر، لیزرهای پالسی، تقویتکنندههای فیبر، توانسنجهای نوری، لیزرهای پهنباند، لیزرهای قابل تنظیم، تأخیرهای نوری، مدولاتورهای الکترواپتیکی، آشکارسازهای نوری، درایورهای دیود لیزری، تقویتکنندههای فیبر، تقویتکنندههای فیبر آلاییده با اربیوم و لیزرهای منبع را به نمایش میگذارد.
ما همچنین مدولاتورهای سفارشی، از جمله مدولاتورهای فاز آرایهای ۱*۴، مدولاتورهای با Vpi بسیار پایین و مدولاتورهای با نسبت انقراض بسیار بالا، که به طور ویژه برای دانشگاهها و موسسات تحقیقاتی طراحی شدهاند، ارائه میدهیم.
این محصولات دارای پهنای باند الکترواپتیکی تا 40 گیگاهرتز، محدوده طول موج از 780 نانومتر تا 2000 نانومتر، تلفات عبوری کم، Vp کم و PER بالا هستند که آنها را برای انواع لینکهای RF آنالوگ و کاربردهای ارتباطی پرسرعت مناسب میکند.
شرکت Rofea Optoelectronics خط تولید محصولات تجاری شامل مدولاتورهای الکترواپتیکی، مدولاتورهای فاز، مدولاتور شدت، آشکارسازهای نوری، منابع نور لیزر، لیزرهای DFB، تقویتکنندههای نوری، EDFA، لیزر SLD، مدولاسیون QPSK، لیزر پالسی، آشکارساز نور، آشکارساز نوری متعادل، درایور لیزر، تقویتکننده فیبر نوری، توانسنج نوری، لیزر پهنباند، لیزر قابل تنظیم، آشکارساز نوری، درایور دیود لیزری، تقویتکننده فیبر را ارائه میدهد. ما همچنین مدولاتورهای خاص بسیاری را برای سفارشیسازی ارائه میدهیم، مانند مدولاتورهای فاز آرایهای ۱*۴، مدولاتورهای Vpi بسیار پایین و مدولاتورهای نسبت انقراض بسیار بالا که عمدتاً در دانشگاهها و مؤسسات مورد استفاده قرار میگیرند.
امید است محصولات ما برای شما و تحقیقاتتان مفید واقع شود.
