انتخاب لیزر ایده آل: لیزر نیمه هادی Edge انتشار قسمت دو

انتخاب ایده آلمنبع لیزری: انتشار لبهلیزر نیمه هادیقسمت دوم

4. وضعیت کاربرد لیزرهای نیمه هادی انتشارات لبه
از آنجالیزرمعالجه پزشکی. طبق گفته Yole Development ، یک آژانس تحقیقاتی در بازار مشهور بین المللی ، بازار لیزر Edge to-Emit در سال 2027 به 7.4 میلیارد دلار رشد خواهد کرد ، با نرخ رشد سالانه 13 ٪. این رشد توسط ارتباطات نوری مانند ماژول های نوری ، تقویت کننده ها و برنامه های سنجش سه بعدی برای ارتباطات داده و ارتباطات از راه دور هدایت می شود. برای نیازهای مختلف کاربردی ، طرح های مختلف طراحی ساختار مارماهی در صنعت توسعه یافته است ، از جمله: لیزرهای نیمه هادی Fabripero (FP) ، لیزرهای نیمه هادی Bragg Reflector (DBR) ، لیزرهای نیمه هادی حفره خارجی (ECL) ، لیزرهای نیمه هادی بازخورد توزیع شده (لیزرهای نیمه هادی بازخورد توزیع شده (لیزر DFB) ، لیزرهای نیمه هادی آبشار کوانتومی (QCL) و دیودهای لیزر منطقه وسیع (طاس).

با افزایش تقاضا برای ارتباطات نوری ، برنامه های سنجش سه بعدی و سایر زمینه ها ، تقاضا برای لیزرهای نیمه هادی نیز در حال افزایش است. علاوه بر این ، لیزرهای نیمه هادی با انتشار لبه و لیزرهای نیمه هادی ساطع کننده سطح هوا نیز در پر کردن کاستی های یکدیگر در برنامه های نوظهور نقش دارند ، مانند:
(1) در زمینه ارتباطات نوری ، بازخورد توزیع شده 1550 نانومتر INGAASP/INP ((لیزر DFB) مارماهی و 1300 نانومتر INGAASP/INGAP FABRY PERO معمولاً در مسافت های انتقال 2 کیلومتر تا 40 کیلومتر و نرخ انتقال تا 40 گیگابایت درپس استفاده می شود. با این حال ، در 60 متر تا 300 متر بر مبنای 300 میلی متر و سرعت انتقال سرعت کاهش سرعت غالب
(2) لیزرهای سطح حفره عمودی دارای مزایای اندازه کوچک و طول موج باریک هستند ، بنابراین آنها به طور گسترده در بازار الکترونیک مصرفی مورد استفاده قرار گرفته اند و روشنایی و مزایای قدرت انتشار لیزرهای نیمه هادی لبه راه را برای کاربردهای سنجش از دور و پردازش قدرت بالا هموار می کند.
(3) هر دو لیزرهای نیمه هادی با انتشار لبه و لیزرهای نیمه هادی سطح حفره عمودی می توانند برای دستیابی به کاربردهای خاص مانند تشخیص نقطه کور و عزیمت خط ، برای LIDAR کوتاه و متوسط ​​استفاده شوند.

5. توسعه آینده
لیزر نیمه هادی ساطع کننده دارای مزایای قابلیت اطمینان بالا ، مینیاتوریزاسیون و چگالی قدرت درخشان بالا است و چشم انداز کاربرد گسترده ای در ارتباطات نوری ، LIDAR ، پزشکی و سایر زمینه ها دارد. با این حال ، اگرچه فرآیند تولید لیزرهای نیمه هادی لبه دار نسبتاً بالغ بوده است ، به منظور برآورده کردن تقاضای رو به رشد بازارهای صنعتی و مصرف کننده برای لیزرهای نیمه هادی با انتشار لبه ، لازم است بهینه سازی مداوم فناوری ، فرایند ، عملکرد و سایر جنبه های لیزرهای نیمه هادی Edge-Emiting ، از جمله: کاهش DECENTE DECEDE DECEDIEN در داخل Wafer. رویه های فرآیند را کاهش دهید. توسعه فن آوری های جدید برای جایگزینی فرآیندهای برش چرخ سنگ زنی سنتی و تیغه که مستعد معرفی نقص هستند. بهینه سازی ساختار اپیتاکسی برای بهبود کارایی لیزر با انتشار لبه. علاوه بر این ، هزینه های تولید و غیره را کاهش دهید ، زیرا نور خروجی لیزر با انتشار لبه در لبه جانبی تراشه لیزر نیمه هادی قرار دارد ، دستیابی به بسته بندی تراشه های کوچک دشوار است ، بنابراین روند بسته بندی مرتبط هنوز هم باید از بین برود.